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www.8870700.com英特尔宣布针对工作站和更高容量NAND的Optane

发布时间:: 2019-10-07 点击量:

  2019-09-22【 2019国考公务员职位表】国家公务员考试热门岗,上周在首尔举行的2019年存储与存储日上,英特尔发布了几条有关其Optane持久存储以及NAND闪存容量的公告。

  Optane是Intel的一种新型非易失性存储器,具有固态驱动器(SSD)的存储容量,但速度几乎与DRAM相等。它位于内存和存储之间,充当大型快速缓存。尽管有些采用PCI Express卡设计,但主要的设计是插入主板的DRAM记忆棒。他们花了一笔钱。512GB Optane棒将为您带来8,000美元的收益。

  到目前为止,Optane仅可用于其最新的服务器芯片第二代Intel Xeon可扩展处理器。但是在展会的一张幻灯片中,英特尔宣布了用于高端工作站的Optane DCPMM,该处理器在工作站上使用的Core i9和Xeon CPU上运行。有一系列Xeon处理器(主要是E5系列)设计用于CAD和其他性能密集型工程工作中使用的工作站。

  Optane以三种模式运行:App Direct模式,该模式用作持久存储;内存模式,用作DRAM;和混合模式,在这两种用例中,内存的一部分均已分区。在App Direct模式下,这将大大加快磁盘写入速度,因为不再有工作站不再带有SSD作为启动驱动器了,这无疑会提高应用程序的性能。

  该公司还在展会上展示了一种新的96层四级单元(QLC)驱动器,该驱动器将于本季度投入生产并于明年发货。QLC驱动器每个单元具有四个存储位,而大多数SSD的每个单元具有三个存储位。

  英特尔正在将QLC驱动器推向市场,但并没有止步于此。它宣布了五级单元(PLC),每个单元有五个位,并计划在明年推出。他们将不得不做一些严肃的工程魔术,因为QLC的缺点之一是使用寿命很短。三层单元(TLC)的寿命为3,000至5,000次写入。之后,细胞降解,最终变得无用。一个QLC单元的寿命只有1,000次写入,因此在繁重的I / O情况下,它的死亡速度会更快。

  英特尔也在增加层次。当禁止以二维方式分布晶体管时,存储器制造商转向堆叠,这恰恰是其名称的含义:存储器层像煎饼一样堆叠。英特尔的QLC驱动器具有96层内存,从明年开始将达到144层。其余DRAM行业的目标是128层。

  毫无疑问,Optane是英特尔的主要竞争优势,而AMD没有答案。AMD拥有核心和性能领先者,这之间的差距要容易得多。如果AMD和Micron联手做出竞争性回应,我不会感到惊讶,但这绝非一朝一夕的事情。

  闪存更令人怀疑。由于QLC的写入限制较低,因此我对QLC的可行性仍然不愿出售。也许超大规模数据中心运营商对硬件故障有很高的容忍度,但企业却没有,并且几个月后他们将不愿意更换SSD。在使我确信QLC和PLC的可行性之前,需要进行一些认真的基准测试。

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